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破解版游戏无限内购破解版-3D NAND将持续专注TLC?
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专家Brien Posey指出,持续破解版游戏无限内购破解版出于成本效益的专注考虑,厂商们开始大批向TLC 3D NAND进发。持续
Brien Posey:当前,专注我认为几乎所有的持续3D NAND闪存都将基于TLC芯片。原因有很多,专注但最终归结为厂商追求以及可用的持续技术。
闪存一直以来都作为替换旋转磁盘介质的快速存储选项,但仍旧不能摆脱容量限制。原因在于基于闪存冲模的存储单元数是有限的,这将影响到设备的整体存储容量。
闪存厂商在过去曾尝试分别用两种技术来提升容量:3D NAND闪存和TLC。3D NAND格式基于垂直堆叠存储单元的构想。这将实现闪存设备容量的大幅指数提升。
而TLC则通过在每单元中存储更多数据来提升容量。SLC每单元存储1 bit数据,MLC每单元存储2 bit数据,那么TLC则能够实现每单元3 bit的数据存储。
如果存储厂商不断追求闪存容量提升,以及由此下降的每GB成本,那么同时利用TLC和3D NAND将富有建设性。
虽然当前闪存厂商都在追赶TLC 3D NAND的潮流,但这并不代表未来的走向。每隔一段时间就会出现技术变革,最终也将会出现替代TLC的新型芯片,而在此之前,我认为3D NAND刹那品将充分利用TLC。
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